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BCV47E6393

更新时间： 2024-01-21 08:38:17

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
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8页	74K
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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BCV47E6393 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

BCV47E6393 数据手册

BCV27, BCV47

DC current gain h = ƒ(I )

Collector-emitter saturation voltage

= 5 V

I = ƒ(V

), h = 10

CEsat

BCV 27/47

EHP00307

BCV 27/47

EHP00305

10⁶

10³

h_FE

Ι _C

150 ˚C

25 ˚C

-50 ˚C

125 ˚C

25 ˚C

10²

10⁵

-55 ˚C

10⁴

10¹

10⁰

10³

0.5

1.0

1.5

10^-1

10⁰

10¹

10²mA 10³

V_CEsat

Ι _C

Base-emitter saturation voltage

Collector cutoff current I

= ƒ(T )

CBO A

I = ƒ(V

), h = 10

= V

CB CEmax

BEsat

BCV 27/47

EHP00304

BCV 27/47

EHP00306

10³

10⁴

Ι _C

Ι _CBO

max

150 ˚C

25 ˚C

10³

10²

10¹

10⁰

-50 ˚C

10²

typ

10¹

10⁰

1.0

2.0

3.0

100

150

˚C

T_A

V_BEsat

2007-04-20

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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