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BCV48

更新时间： 2024-02-20 14:59:06

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管达林顿晶体管
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4页	146K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current)

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BCV48 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.14
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

BCV48 数据手册

PNP Silicon Darlington Transistors

BCV 28

BCV 48

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Complementary types: BCV 29, BCV 49 (NPN)

Package¹⁾

SOT-89

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCV 28

BCV 48

Q62702-C1852

Q62702-C1854

Maximum Ratings

Parameter

Symbol Values

Unit

BCV 28

BCV 48

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

500

Peak collector current

Base current

800

100

200

Peak base current

Total power dissipation, T

= 124 ˚C

Ptot

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 72

≤ 17

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCV48/T1	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN	获取价格
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