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BCV48E6327HTSA1

更新时间： 2024-02-28 20:18:13

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
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7页	518K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BCV48E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.49
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCV48E6327HTSA1 数据手册

BCV28, BCV48

PNP Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV29, BCV49 (NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

BCV28

BCV48

Marking

Pin Configuration

Package

SOT89

1=B

2=C

3=E

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCV28

BCV48

CEO

CBO

EBO

Collector-base voltage

BCV28

BCV48

500

800

100

200

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current, t ≤ 10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

tot

T ≤ 130 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2011-10-05

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCV48-T	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN	获取价格
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