Datasheet > BCV47E6433HTMA1

BCV47E6433HTMA1

更新时间： 2024-02-21 08:41:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	524K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCV47E6433HTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

BCV47E6433HTMA1 数据手册

BCV27, BCV47

NPN Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV26, BCV46 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

BCV27

BCV47

Marking

FFs

FGs

Pin Configuration

Package

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCV27

BCV47

CEO

CBO

EBO

Collector-base voltage

BCV27

BCV47

500

800

100

200

360

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current, t ≤ 10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

°C

tot

T ≤ 74 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2011-10-05

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与BCV47E6433HTMA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCV47Q	DIODES	NPN, 60V, 0.5A, SOT23	获取价格
BCV47-Q	NEXPERIA	NPN Darlington transistorProduction	获取价格
BCV47QTA	DIODES	60V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
BCV47QTC	DIODES	60V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
BCV47-T	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格
BCV47T/R	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格