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BC858AW-TAPE-13

更新时间: 2024-01-04 17:54:31
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恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BC858AW-TAPE-13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.01
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:5 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC858AW-TAPE-13 数据手册

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