| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.01 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC858AW-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC858AWBC858BWBC858CW | AITSEMI |
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Polarity : PNP; IC (mA) : -100; VCEO (V) : -30; hFE Min/Max : 125/250220/475420/800; hFE/ |
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| BC858AWE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC858AWE6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC858AWG | LGE |
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PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| BC858AWHE3 | MCC |
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Tape&Reel; |
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| BC858AWHQ | YANGJIE |
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SOT-323 |
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| BC858AWQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-323 |
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| BC858AWT1 | MOTOROLA |
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CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 |
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| BC858AWT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
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