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BC858B

更新时间： 2024-01-06 20:24:43
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RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 561K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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BC858B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC858B 数据手册

 浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第2页 
BC858B  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.225  
W (Tamb=25OC) Note1  
Collector current  
ICM :  
Collector-base voltage  
*
*
*
-0.1  
-30  
A
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
UNITS  
Collector-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
V
-30  
-30  
-
-
V
V
C
E
(BR)CBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = -10mA, I =0)  
V
C
B
(BR)CEO  
Emitter-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
V
-5  
-
-
V
E
C
(BR)EBO  
Collector cut-off current (V = -25V, I =0)  
I
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CB  
E
CBO  
Collector cut-off current (V = -25V, I =0)  
I
-
CE  
B
CEO  
Emitter cut-off current (V = -5V, I =0)  
I
-
-0.1  
µA  
EB  
C
EBO  
DC current gain (V = -5V, I = -2mA)  
h
220  
475  
-0.5  
-1.1  
-
V
V
CE  
C
FE(1)  
Collector-emitter saturation voltage (I = -100mA, I = -5mA)  
V
-
-
C
B
CE(sat)  
Base-emitter saturation voltage (I = -100mA, I = -10mA)  
V
C
B
BE(sat)  
Transition frequency (V = -5V, I = -10mA, f= 100MHZ)  
100  
-
MHZ  
f
T
CE  
C
DEVICE MARKING  
BC858B  
3K  
2007-3  
Notes : 1. Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.  
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
12

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