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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.01 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC858B | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BC858B | TYSEMI |
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Ideally suited for automatic insertion, For Switching and AF Amplifier Applications |
|
| BC858B | KEXIN |
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PNP Transistor |
|
| BC858B | NXP |
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PNP general purpose transistors |
|
| BC858B | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
|
| BC858B | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
|
| BC858B | NEXPERIA |
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PNP general purpose transistorProduction |
|
| BC858B | TSC |
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0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
|
| BC858B | SECOS |
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BC856A |
|
| BC858B | ROHM |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
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