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BC858AWT3

更新时间： 2024-01-20 02:30:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BC858AWT3 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.01Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：125
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC858AWT3 数据手册

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BC858CDXV6T1,  
BC858CDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistor  
PNP Dual  
http://onsemi.com  
This transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low  
power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Features  
Q
1
2
• These are Pb−Free Devices  
MAXIMUM RATINGS  
(4)  
(5)  
(6)  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
−30  
Unit  
V
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−30  
V
6
−5.0  
−100  
V
1
Collector Current − Continuous  
I
mAdc  
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAMS  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
T = 25°C  
357  
2.9  
mW  
mW/°C  
A
3L M G  
Derate above 25°C  
G
Thermal Resistance  
R
q
JA  
350  
°C/W  
1
Junction-to-Ambient (Note 1)  
Characteristic  
3L = Device Code  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
M
= Date Code  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
G
= Pb−Free Package  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
500  
4.0  
mW  
mW/°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance  
R
q
JA  
250  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
Junction-to-Ambient (Note 1)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
BC858CDXV6T1  
SOT−563 4000/Tape & Reel  
BC858CDXV6T1G SOT−563 4000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
BC858CDXV6T5  
SOT−563 8000/Tape & Reel  
BC858CDXV6T5G SOT−563 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
October, 2005 − Rev. 3  
BC858CDXV6T1/D  
 
1234

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