BC858B

更新时间： 2024-02-06 07:47:01

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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2页	108K
描述
PNP Small Signal Transistor 310mW

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BC858B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858B 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Features

PNP Small

Signal Transistor

310mW

Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

l Case: SOT-23, Molded Plastic

SOT-23

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: See Diagram

l Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

Charateristic

Symbol Value Unit

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

.085

.37

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Suggested Solder

Pad Layout

-100

-200

310

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.031

.800

.035

.900

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.079

2.000

inches

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

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