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BC858B

更新时间： 2024-01-09 03:23:40

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
PNP Transistor

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BC858B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858B 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Transistor

KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C

(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Ideally suited for automatic insertion

For Switching and AF Amplifier Applications

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

KC856

Symbol

VCBO

Rating

-80

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

KC857

KC858

KC856

KC857

KC858

-50

-30

-65

VCEO

-45

-30

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.1

200

150

Storage Temperature

Tstg

-65 to +150

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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