BC858B

更新时间： 2025-06-13 22:54:03

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC858B 数据手册

BC 856 ... BC 860

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 856

65 V

80 V

BC 857/860 BC 858/859

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 ꢀA

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC858B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC858A	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC859B	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC857B	DIOTEC	类似代替	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC858B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858B,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
BC858B,215	NEXPERIA	获取价格	元器件封装:SOT-23-3;
BC858B,235	NXP	获取价格	BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin
BC858B,235	NEXPERIA	获取价格	元器件封装:TO-236AB;
BC858B-3K	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858B-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858B-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC858B-AQ	DIOTEC	获取价格	Bipolar Transistors
BC858B-AU	PANJIT	获取价格	SOT-23
BC858B-C	DIOTEC	获取价格	Bipolar Transistors

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