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BC858B

更新时间: 2024-02-27 21:36:17
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
PNP General Purpose Transistor

BC858B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-609代码:e3
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC858B 数据手册

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Transistors  
FElectrical characteristic curves  
(SPEC-A32)  
603  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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