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BC858B

更新时间： 2024-02-21 17:08:36

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TSC		晶体晶体管
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3页	84K
描述
0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC858B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858B 数据手册

BC856A,B

BC857A,B,C

RoHS

COMPLIANCE

BC858A,B,C

0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

Features

Ideally suited for automatic insertion

Epitaxial planar die construction

For switching, AF driver and amplifier

applications

Complementary PNP type available(BC846)

Qualified to AEC-Q101 standards for high

reliability

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded plastic

Case material: molded plastic. UL flammability

classification rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,

Method 208

Lead free plating

Marking & Polarity: See diagram

Weight: 0.008 gram (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings T =25 ^oC unless otherwise specified

Type Number

Symbol BC856 BC857 BC858 Units

Collector-base breakdown voltage

I_C=10uA, I_E=0

V_CBO

V_CEO

I_CM

-80

-65

-50

-45

-0.1

0.2

-5

-30

Collector-emitter breakdown voltage I_C=10mA, I_B=0

Collector current

Power dissipation (Tamb=25^oC) (Note 1)

P_CM

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10uA, I_C=0

V_CB=-70V I_E=0

V_EBO

-0.1

I_CBO

V_CB=-45V I_E=0

-0.1

V_CB=-25V I_E=0

V_CE=-60V I_B=0

V_CE=-40V I_B=0

-0.1

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-25V I_B=0

Emitter cut-off current

V_EB=-5V I_C=0

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.1

-0.5

-1.1

Collector-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Base-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Transition frequency V_CE=-5V I_C=-10mA f=100MHz

Operating and Storage Temperature Range

100

MHz

-55 to + 150

^oC

T_J, T_STG

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

DC current gain BC846A,847A,848A

BC846B,847B,848B V_CE=-5V I_C=-2mA

BC847C / BC848C

125

220

420

250

475

800

H_FE(1)

DEVICE MARKING

BC856A=3A, BC856B=3B, BC857A=3E, BC857B=3F, BC857C=3G,BC858A=3J, BC858B=3K, BC858C=3L

Note 1: Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.

Version: B07

12 3

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与BC858B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858B,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
BC858B,235	NXP	获取价格	BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin
BC858B/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858B/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858B-3K	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858B-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858B-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC858-B-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858B-AU	PANJIT	获取价格	SOT-23
BC858BD87Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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