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BC857BS

更新时间： 2024-09-13 12:20:07

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4页	160K
描述
PNP GENERAL PURPOSE DUALTRANSISTORS

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BC857BS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC857BS 数据手册

BC857BS

PNP GENERAL PURPOSE DUALTRANSISTORS

150 mWatts

POWER

45 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• General purpose amplifier applications

• NPN epitaxial silicon, planar design

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: SOT-363, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.008 gram

• Marking : 57S

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Symbol

Value

-45

Units

Collector - Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

-50

-5.0

100

Collector Current - Continuous

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

P_D

Value

Units

Total Device Dissipation

300

150

3.0

Per Device FR-5 Board (Note 1)T_A=25^OC

Derate above 25^OC

mW/^OC

^OC/W

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_J

328

-55 to 150

^OC

Storage Temperature

T_STG

Note 1: FR-4 board 70 x 60 x 1mm.

REV.0.1-MAR.4.2009

PAGE . 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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