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BC850

更新时间： 2024-02-11 21:08:20

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	595K
描述
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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BC850 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC850 数据手册

BC846,BC847,BC848,BC849,BC850 SERIES

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

225 mWatts

CURRENT

30/45/65 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• General purpose amplifier applications

• NPN epitaxial silicon, planar design

• Collector current IC = 100mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

Case: SOT-23, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx. Weight: 0.008 gram

D evice M arking:

BC 846A=46A BC 847A=47A BC 848A=48A

BC 846B=46B BC 847B=47B BC 848B=48B BC 849B=49B BC 850B=50B

BC 847C =47C BC 848C =48C BC 849C =49C BC 850C =50C

ABSOLUTE RATINGS

PARAMETER

BC846

Symbol

Value

Units

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

BC847,BC850

BC848,BC849

CEO

CBO

EBO

BC846

BC847,BC850

BC848,BC849

BC846

BC847,BC850

BC848,BC849

6.0

5.0

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

100

THERMALCHARACTERISTICS

PARAM ETER

Sym bol

Value

225

Units

m W

M axPowerD issipation (Note 1)

PTO T

Therm alResistance ,Junction to Am bient

Junction Tem perature

Rθ^JA

556

^OC /W

^OC

-55 to 150

Storage Tem perature

TI^STG

^OC

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

REV.0.3-FEB.10.2009

PAGE . 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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