BC850B

更新时间： 2024-09-17 22:39:27

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	126K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC850B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.53
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

BC850B 数据手册

BC 846 ... BC 850

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846

65 V

80 V

BC 847/850 BC 848/849

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

6 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC850B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC847B	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC850C	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC850BLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

与BC850B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC850-B	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
BC850B(SOT-23)	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
BC850B,215	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC850B,235	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC850B/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT-23
BC850B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BC850B/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BC850B-2FZ	ZETEX	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850-B-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC850-B-AL3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION

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