BC850AMTF

更新时间： 2025-07-14 04:08:59

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC850AMTF 数据手册

BC846 ... BC850

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-06-02

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC847

BC850

BC848

BC849

BC846

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EB0

P_tot

I_C

65 V

80 V

45 V

50 V

30 V

5 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

I_CM

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 µA

Group A

Group B

Group C

h_FE

–

150

270

–

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

Group A

Group B

Group C

h_FE

110

200

420

180

290

520

220

450

800

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

–

90 mV

200 mV

250 mV

600 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_BEsat

–

700 mV

900 mV

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与BC850AMTF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC850AMTF_11	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC850AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC850AT	GWSEMI	获取价格	Package : SOT-523; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 110; hFE = Ma
BC850AW	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850AW	TSC	获取价格	NPN Transistor
BC850AW	AITSEMI	获取价格	Polarity : NPN; IC (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE Min/Max : 110/220; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts
BC850AW	GWSEMI	获取价格	Package : SOT-323; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 110; hFE = Ma
BC850B	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)
BC850B	NXP	获取价格	NPN general purpose transistors
BC850B	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC850AMTF

BC850AMTF 数据手册

与BC850AMTF相关器件

与BC850AMTF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC850AMTF

BC850AMTF 数据手册

与BC850AMTF相关器件

与BC850AMTF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？