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BC850B

更新时间： 2024-01-14 23:49:56

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ETL		晶体晶体管
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4页	194K
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General Purpose Transistors

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BC850B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC850B 数据手册

General Purpose Transistors

NPN Silicon

BC846ALT1,BLT1

BC847ALT1,BLT1

CLT1 thru

MAXIMUM RATINGS

BC847

BC850

BC848

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC846

BC849

Unit

BC850BLT1,CLT1

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

6.0

5.0

Collector Current — Continuous

Collector Current(Peak value)

Emitter Current(Peak value)

Base Current(Peak value)

100

200

100

200

mAdc

I _CM

200

I _EM

200

I _BM

200

SOLDERING CHARACTERISTICS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Characteristic

Symbol

265

Unit

°C

Solder Heat Resistance

Solderability

240 to 265

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

BASE

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

EMITTER

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;

BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

BC846A,B

6.0

5.0

—

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B

V_(BR)CEO

V_(BR)CES

V_(BR)CBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 µA, V_EB= 0)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

Collector–Base Breakdown Voltage BC846A,B

(I_C= 10 µA)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B BC847A,B,C

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 1.0 µA)

BC848A,B,C, BC849B,C,

BC850B,C

V_(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V_CB= 30 V)

(V_CB= 30 V, T_A= 150°C)

—

I_CBO

—

5.0

µA

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M3–1/4

12 3 4

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与BC850B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC850-B	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
BC850B(SOT-23)	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
BC850B,215	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC850B,235	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC850B/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT-23
BC850B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BC850B/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BC850B-2FZ	ZETEX	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850-B-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC850-B-AL3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION

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