| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC850AT | GWSEMI |
获取价格 |
Package : SOT-523; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 110; hFE = Ma |
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| BC850AW | PANJIT |
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NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC850AW | TSC |
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NPN Transistor |
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| BC850AW | AITSEMI |
获取价格 |
Polarity : NPN; IC (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE Min/Max : 110/220; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts |
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| BC850AW | GWSEMI |
获取价格 |
Package : SOT-323; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 110; hFE = Ma |
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| BC850B | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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| BC850B | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
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| BC850B | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC850B | WEITRON |
获取价格 |
General Purpose Transistor NPN Silicon |
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| BC850B | PANJIT |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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