BC850B

更新时间： 2024-02-28 20:53:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器晶体管
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8页	277K
描述
NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)

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BC850B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC850B 数据手册

NPN Silicon AF Transistors

BC 846 ... BC 850

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 856, BC 857,

BC 859, BC 860 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BC 846 A

BC 846 B

BC 847 A

BC 847 B

BC 847 C

BC 848 A

BC 848 B

BC 848 C

BC 849 B

BC 849 C

BC 850 B

BC 850 C

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2Cs

2Fs

2Gs

Q62702-C1772

Q62702-C1746

Q62702-C1884

Q62702-C1687

Q62702-C1715

Q62702-C1741

Q62702-C1704

Q62702-C1506

Q62702-C1727

Q62702-C1713

Q62702-C1885

Q62702-C1712

SOT-23

¹⁾For detailed information see chapter Package Outlines.

Semiconductor Group

04.96

12 3 4 5 6 7 8

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与BC850B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC850-B	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,	获取价格
BC850B(SOT-23)	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN	获取价格
BC850B,215	ETC	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	获取价格
BC850B,235	ETC	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	获取价格
BC850B/T1	ETC	TRANSISTOR SOT-23	获取价格
BC850B/T3	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格