是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SOT-23, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BC850BLT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors | |
BC850C | DIOTEC |
功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors | |
BC850CLT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC850-B | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, | |
BC850B(SOT-23) | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN | |
BC850B,215 | ETC |
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TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 | |
BC850B,235 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 | |
BC850B/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR SOT-23 | |
BC850B/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI | |
BC850B/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI | |
BC850B-2FZ | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR | |
BC850-B-AE3-R | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION | |
BC850-B-AL3-R | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |