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BC847BV-TP PDF预览

BC847BV-TP

更新时间： 2025-07-24 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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BC847BV-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.54
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC847BV-TP 数据手册

 浏览型号BC847BV-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847BV-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BC847BV  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
•
•
•
x
x
Epitaxial Die Construction  
Complementary PNP Type Available (BC857BV)  
Ultra-small Surface Mount Package  
Lead Free Plating  
Marking:K4V  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
SOT-563  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
45  
50  
6
0.1  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
PC  
0.15  
833  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
45  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=1uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0Vdc)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5Vdc, IC=0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=2mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0.5mAdc)  
(IC=100mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0.5mAdc)  
(IC=100mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
50  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
nAdc  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
---  
15  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
IEBO  
---  
100  
450  
.020  
0.50  
hFE  
200  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
VCE(sat)  
---  
---  
---  
---  
100  
300  
mVdc  
mVdc  
mVdc  
VBE(sat)  
---  
---  
700  
900  
---  
---  
VBE  
(IC=2mAdc, VCE=5Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc)  
580  
660  
700  
770  
Transition Frequency  
(VCE=5Vdc, IC=10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
(VCE=5V,BW=200Hz, f=1KHz, RS=2k=)  
fT  
100  
---  
---  
---  
---  
---  
4.5  
10  
MHz  
pF  
Cob  
NF  
---  
dB  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2008/01/01  
123

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