BC 846W ... BC 850W
NPN
General Purpose Transistors
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
NPN
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
SOT-323
±0.1
±0.1
Plastic case
2
1
0.3
Kunststoffgehäuse
3
Type
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Code
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.3
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2 = E 3 = C
Maximum ratings (TA = 25ꢀC)
Grenzwerte (TA = 25ꢀC)
BC 846W
BC 847W
BC 848W
BC 850W
BC 849W
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
B open
E open
C open
VCE0
VCB0
VEB0
Ptot
65 V
80 V
6 V
45 V
50 V
30 V
30 V
5 V
200 mW 1)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IBM
- IEM
Tj
150
ꢀC
TS
- 65…+ 150 C
ꢀ
Characteristics (Tj = 25ꢀC)
Kennwerte (Tj = 25ꢀC)
Group A
Group B
Group C
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
VCE = 5 V, IC = 10
VCE = 5 V, IC = 2 mA
ꢀ
A
hFE
hFE
typ. 90
110...220
typ. 150
200...450
typ. 270
420...800
h-Parameters at VCE = 5V, IC = 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverstärkung hfe
typ. 220
typ. 330
typ. 600
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
hie
hoe
1.6...4.5 k
ꢁ
3.2...8.5 k
ꢁ
6...15 k
60 < 110
ꢁ
18 < 30
ꢀ
S
30 < 60
ꢀ
S
ꢀ
S
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
hre
typ.1.5 *10-4
typ. 2 *10-4
typ. 3 *10-4
1
2
)
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
Tested with pulses tp = 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%
12
01.11.2003