5秒后页面跳转
BC847BVN PDF预览

BC847BVN

更新时间: 2024-11-11 22:28:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
NPN/PNP general purpose transistor

BC847BVN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC847BVN 数据手册

 浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC847BVN的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
MD74  
BC847BVN  
NPN/PNP general purpose  
transistor  
Product specification  
2001 Nov 07  
Supersedes data of 2001 Aug 30  

BC847BVN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BVN,115 NXP

类似代替

BC847BVN - NPN/PNP general purpose transistor SOT 6-Pin

与BC847BVN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847BVN,115 NXP

获取价格

BC847BVN - NPN/PNP general purpose transistor SOT 6-Pin
BC847BVN_15 DIODES

获取价格

COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC847BVN-115 NXP

获取价格

NPN/PNP general purpose transistor
BC847BVN-7 DIODES

获取价格

COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC847BVNQ DIODES

获取价格

Complementary, 45V, 0.1A, SOT563
BC847BVNQ-7 DIODES

获取价格

COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC847BVPN BL Galaxy Electrical

获取价格

45V,0.1A,General Purpose NPN+PNP Bipolar Transistor
BC847BV-TP MCC

获取价格

NPN Plastic-Encapsulate Transistors
BC847BV-TP-HF MCC

获取价格

暂无描述
BC847BW KEXIN

获取价格

NPN General Purpose Transistor