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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC847BVN
BC847BVN PDF预览

BC847BVN

更新时间： 2024-11-15 04:34:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 219K
描述
COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC847BVN 数据手册

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SPICE MODEL: BC847BVN  
BC847BVN  
Lead-free Green  
COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE  
MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
Epitaxial Die Construction  
Two internally isolated NPN/PNP Transistors in one  
package  
A
B2  
E2  
C1  
SOT-563  
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
B
KAW YM  
C
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
E1  
B1  
C2  
D
Mechanical Data  
·
·
G
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
¾
M
K
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin Finish annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
H
L
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 3): KAW  
M
C1  
B2  
E2  
All Dimensions in mm  
Ordering & Date Code Information: See Page 4  
Weight: 0.003 grams (approximate)  
Q2  
Q1  
E1  
B1  
C2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
NPN, BC847B Type (Q1)  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
45  
V
6.0  
100  
200  
200  
mA  
mA  
mA  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
IEM  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
PNP, BC857B Type (Q2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
-50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
-45  
-5.0  
V
-100  
-200  
-200  
mA  
mA  
mA  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
IEM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1) @TA = 25oC  
Symbol  
Value  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Total Device  
Pd  
150  
833  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) @TA = 25oC  
RqJA  
Tj, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30627 Rev. 4 - 2  
1 of 4  
BC847BVN  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847BVN,115 NXP

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 		BC847BVN - NPN/PNP general purpose transistor SOT 6-Pin
BC847BVN_15 DIODES

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