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BC847BW

更新时间： 2024-01-12 18:42:31

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	228K
描述
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction

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技术参数
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BC847BW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	255	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847BW 数据手册

BC847xW series

45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Rev. 13 — 1 July 2022

Product data sheet

1. General description

NPN general-purpose transistors in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

Table 1. Product overview

Type number[1]

Package

Nexperia

SOT323

PNP complement

JEITA

BC847W

SC-70

BC857W

BC847AW

BC847BW

BC847CW

BC857AW

BC857BW

BC857CW

[1] Valid for all available selection groups.

2. Features and benefits

•

General-purpose transistors

•

SMD plastic packages

Three different gain selections

3. Applications

•

General-purpose switching and amplification

4. Quick reference data

Table 2. Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol

V_CEO

I_C

Parameter

Conditions Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

collector current

DC current gain

BC847W

open base

100

h_FE

110

200

420

800

220

450

800

BC847AW

180

290

520

V_CE= 5 V;

I_C= 2 mA

BC847BW

BC847CW

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BC847BW115	NXP	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors	获取价格
BC847BW-13	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC	获取价格