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BC847BV PDF预览

BC847BV

更新时间： 2024-11-15 08:49:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 264K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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BC847BV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.01Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847BV 数据手册

 浏览型号BC847BV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847BV的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BC847BV  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
•
•
·
Epitaxial Die Construction  
Complementary PNP Type Available (BC857BV)  
Ultra-small Surface Mount Package  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
·
·
Marking:K4V  
SOT-563  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
45  
50  
6
0.1  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
PC  
0.15  
833  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
45  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=1uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0Vdc)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5Vdc, IC=0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=2mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0.5mAdc)  
(IC=100mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0.5mAdc)  
(IC=100mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
50  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
nAdc  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
---  
15  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
IEBO  
---  
100  
450  
.020  
0.50  
hFE  
200  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
VCE(sat)  
---  
---  
---  
---  
100  
300  
mVdc  
mVdc  
mVdc  
VBE(sat)  
---  
---  
700  
900  
---  
---  
VBE  
(IC=2mAdc, VCE=5Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc)  
580  
660  
700  
770  
Transition Frequency  
(VCE=5Vdc, IC=10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
(VCE=5V,BW=200Hz, f=1KHz, RS=2k=)  
fT  
100  
---  
---  
---  
---  
---  
4.5  
10  
MHz  
pF  
Cob  
NF  
---  
dB  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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BC847BV 替代型号

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