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BAW56HMFHT116

更新时间: 2024-11-05 19:44:39
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 1359K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon,

BAW56HMFHT116 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:7.74
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.215 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:4 µs
反向测试电压:80 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAW56HMFHT116 数据手册

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BAW56HMFH  
Switching Diode (High speed switching)  
(AEC-Q101 qualified)  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
100  
500  
V
RM  
I
mA  
mA  
mA  
FM  
I
215  
F
I
4000  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small mold type  
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Embossed Tape  
High speed switching  
Reel Size(mm)  
180  
8
3000  
T116  
D8Y  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Epitaxial planar  
Marking  
(T = 25ºC)  
Absolute Maximum Ratings  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
a
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Limits  
100  
80  
Unit  
V
V
V
-
-
RM  
V
R
P
Power dissipation  
Repetitive peak reverse forward current  
Peak forward surge current  
Ta25℃  
Per diode  
t=1μs  
Per diode  
Per device  
-
250  
500  
4000  
215  
125  
mW  
mA  
mA  
mA  
mA  
D
I
FM  
I
FSM  
I
F
Forward current  
T
T
stg  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-65 150  
j
-
Cautionstatic electricity  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2017 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
1/5  
2018/04/11_Rev.003  

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