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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 250 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS21(LS) | DIODES |
获取价格 |
SwitchingDiodes |
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| BAS21,215 | NXP |
获取价格 |
BAS21 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin |
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| BAS21,235 | NXP |
获取价格 |
BAS21 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin |
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| BAS21/A/C/SLT1 | ETC |
获取价格 |
Switching diodes |
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| BAS21/E8 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
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| BAS21/E9 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
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| BAS21/T3 | NXP |
获取价格 |
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| BAS21/T4 | NXP |
获取价格 |
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| BAS21_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diode |
|
| BAS21_10 | TSC |
获取价格 |
225mW SMD Switching Diode |
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