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BAS21212

更新时间: 2024-02-15 17:16:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE

BAS21212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.25
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS21212 数据手册

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