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BAS216T/R

更新时间: 2024-01-05 15:58:05
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 119K
描述
0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2

BAS216T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.81
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-CDSO-R2JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

BAS216T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS216  
High-speed switching diode  
Product data sheet  
2002 May 28  
Supersedes data of 1999 Apr 22  

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