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BAS216WT

更新时间： 2024-01-01 20:02:53

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商升特 - SEMTECH		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	313K
描述
High Speed Switching Diode

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BAS216WT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAS216WT 数据手册

BAS216WT

High Speed Switching Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: "A"

Simplified outline SOD-523 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RRM

V_R

Continuous Forward Current

I_F

250

500

Repetitive Peak Forward Current

I_FRM

Non-Repetitive Peak Forward Current

t = 1 µs

t = 1 ms

t = 1 s

0.5

I_FSM

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 1 mA

715

855

at I_F= 10 mA

at I_F= 50 mA

at I_F= 150 mA

1000

1250

Reverse Current

at V_R= 25 V

at V_R= 75 V

at V_R= 25 V, T_J= 150 C

at V_R= 75 V, T_J= 150 C

µA

I_R

Diode Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_tot

1.5

Reverse Recovery Time

at I_F= 10 mA to I_R= 10 mA, I_R= 1 mA, R_L= 100 Ω

t_rr

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 07/04/2009

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