BAS21A

更新时间： 2024-06-20 14:38:50

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RECTRON		/
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1页	21K
描述
Reverse Voltage Vr : 250 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 2.5 A;Forward Voltage Vf : 1.25 V;Reverse Current Ir : 0.1 uA;Recovery Time : 50 ns;Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMT/SMD

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BAS21A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.225 W	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS21A 数据手册

RECTRON

SEMICONDUCTOR

BAS21

TECHNICAL SPECIFICATION

SURFACE MOUNT DIODE

SOT-23

Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

Items

Symbol

VRRM

trr

Ratings

200

Unit

Reverse Voltage

Reverse Recovery

Time

Forward Voltage

@ If = 100 mA

Forward Current

Junction Temp.

Storage Temp.

1.0

(1)

(2)

(1)

Tstg

200

-55 to 150

(3)

Mechanical Data

Items

Materials

SOT-23

42 Alloy

Solder Plating

Package

Lead Frame

Lead Finish

Bond Wire

Mold Resin

Chip

1. ANODE

2. NC

3. CATHODE

(UNITS: mm)

Epoxy

Silicon

Electrical Characteristics (Ta=25 C)

Ratings

Symbol

VRRM

IFRM

Ratings

250

Unit

IR= 100uA (2)

Repetitive Peak Reverse Voltage ;

Repetitive Peak Forward Current

625

Forward Voltage

IF= 100mA

1.0

IF= 200mA

1.25

Reverse Current

VR= 200V

VR= 200V (Tj= 150 C)

trr

0.10

100

Reverse Recovery Time IF= IR= 10mA; RL= 100

Ω

Thermal Resistance (junction to ambient)

R JA

500

C/W

Notes:

1. Mounted on a ceramic substrate of 8mm x 10mm x 0.7mm

2. At zero life time measured under pulse conditions to avoid excessive dissipation and voltage limited to 275V.

1315 John Reed Court, Industry, CA 91745

RECTRON USA

www.rectron.com

Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296

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