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BAS21AVD

更新时间： 2024-11-20 11:10:11
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 661K
描述
High-voltage switching diodesProduction

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BAS21AVD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-74, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.53
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：3端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.25 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：250 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAS21AVD 数据手册

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BAS21AVD  
High-voltage switching diodes  
1 August 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Triple high-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT457 (SC-74/TSOP6) small  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
High switching speed: trr ≤ 50 ns  
Reverse voltage: VR ≤ 200 V  
•
•
•
•
•
•
•
Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 250 V  
Small SMD plastic package  
Low capacitance: Cd ≤ 5 pF  
AEC-Q101 qualified  
Repetitive peak forward current: IFRM ≤ 1 A  
3. Applications  
High-voltage switching in surface-mounted circuits  
Automotive  
Communication  
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per diode  
IF  
forward current  
reverse voltage  
pulsed; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02  
[1]  
-
-
-
-
200  
200  
mA  
V
VR  
Per diode  
IR  
reverse current  
VR = 200 V; Tamb = 25 °C; pulsed;  
tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02  
-
-
25  
16  
100  
50  
nA  
ns  
trr  
reverse recovery time IF = 30 mA; IR = 30 mA; IR(meas) = 3 mA;  
RL = 100 Ω; Tamb = 25 °C  
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
 
 
 
 
 
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