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BAS21AV

更新时间： 2024-11-24 18:04:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
5页 401K
描述
Reverse Voltage Vr : 250 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 2.5 A;Forward Voltage Vf : 1.25 V;Reverse Current Ir : 0.1 uA;Recovery Time : 50 ns;Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMT/SMD;Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101

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BAS21AV 数据手册

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BAS21V  
BAS21AV  
BAS21CV  
BAS21SV  
Switching  
Diodes  
FEATURES  
SOT-23  
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
eg:BAS21V  
P/N suffix V means AEC-Q101qualified,  
P/N suffix V means Halogen-free  
BA6 21  
BA6 21A  
BA6 21C  
BA6 21S  
MARKING: JS  
MARKING:JS2  
MARKING:JS3  
MARKING:JSꢀ  
JS2  
JS  
JS3  
JS4  
Solid dot = Green molding compound device,  
the normal device  
if none,  
JS2  
JS3  
JS  
JS4  
℃
Maximum Ratings @Ta=25  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
250  
Working peak reverse voltage  
DC blocking voltage  
V
I
Forward continuous current ꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁ4ꢁ0ꢁ0ꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁmꢁAꢁ ꢁ ꢁ  
FM  
Average rectified output current  
Non-Repetitive Peak  
I ꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁmꢁꢁAꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁ  
200  
O
IFSM  
I2T  
A
2.5  
Forward Surge Current @t=8.3ms  
Typical Current Squared Time  
2
0.02  
A S  
I
625  
Repetitive peak forward surge current ꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁꢁ  
ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁ ꢁmꢁAꢁ ꢁ ꢁ  
FRM  
Power dissipation  
PD  
RθJA  
TJ  
225  
mW  
℃/W  
℃
Thermal resistance junction to ambient ꢁ  
Junction temperature  
555  
150  
Storage temperature range  
TSTG  
℃
-55~+150  
unless otherwise specified)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃  
ꢁꢁꢁꢁꢁ  
Parameter  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Test  
IR= 100μA  
VR=200V  
conditions  
Min  
250  
Max  
Unitꢁ  
V
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage current  
0.1  
μA  
IF=100mA  
IF=200mA  
1000  
1250  
Forward voltage  
mV  
VF  
Diode capacitance  
CD  
trr  
VR=0V, f=1MHz  
5
pF  
ns  
2020-11/02  
REV:O  
Reveres recovery time  
IF=IR=30mA,Irr=0.1×IR,RL=100¡  
50  
12345

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与BAS21AV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS21AVD NXP

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 		250V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-74, 6 PIN
BAS21AVD NEXPERIA

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 		High-voltage switching diodesProduction
BAS21AVD,115 NXP

获取价格

 		DIODE 250 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-74, 6 PIN, Signal Diode
BAS21AVD,125 NXP

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 		DIODE 250 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-74, 6 PIN, Signal Diode
BAS21AVD,135 ETC

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 		DIODE ARRAY GP 200V 200MA 6TSOP
BAS21AVD,165 NXP

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 		BAS21AVD - High-voltage switching diodes TSOP 6-Pin
BAS21AW NXP

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 		High-voltage switching diodes
BAS21AW NEXPERIA

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 		High-voltage switching diodeProduction
BAS21AW SWST

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 		小信号开关二极管
BAS21AW BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.225A,250V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes

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