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BAS21AHT1G PDF预览

BAS21AHT1G

更新时间： 2024-01-29 02:50:45
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 128K
描述
Low Leakage Switching Diode

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BAS21AHT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 477-02, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.5配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.625 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS21AHT1G 数据手册

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BAS21AHT1G  
Low Leakage  
Switching Diode  
Features  
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
LOW LEAKAGE  
SWITCHING DIODE  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Rating  
Value  
250  
Unit  
Vdc  
V
Continuous Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
R
1
2
CATHODE  
ANODE  
V
250  
Vdc  
RRM  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
I
Peak Forward Surge Current  
625  
FM(surge)  
MARKING  
DIAGRAM  
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Unit  
1
P
Total Device Dissipation FR--5 Board,  
200  
mW  
AA M G  
D
SOD--323  
CASE 477  
STYLE 1  
(Note 1)  
T = 25C  
A
G
Derate above 25C  
1.57  
635  
mW/C  
C/W  
R
θ
Thermal Resistance,  
Junction--to--Ambient  
JA  
AA  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb--Free Package  
T , T  
Junction and Storage Temperature  
Range  
--55 to +150  
C  
J
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR--5 Minimum Pad  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAS21AHT1G  
SOD--323  
(Pb--Free)  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
August, 2010 -- Rev. 1  
BAS21AHT1/D  
123

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BAS21AHT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV21WS-GS08 VISHAY

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
BAV21WS-GS18 VISHAY

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM),
BAV21WS-7-F DIODES

功能相似

 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		225mW SMD Switching Diode
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 		Rectifier Diode,
BAS21-AU PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed
BAS21AVD NXP

获取价格

 		250V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-74, 6 PIN
BAS21AVD NEXPERIA

获取价格

 		High-voltage switching diodesProduction

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