BAS216WT

更新时间： 2024-11-23 12:50:11

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管开关
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描述
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

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BAS216WT 数据手册

BAS216WT

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2010-11-30

1.2

Power dissipation – Verlustleistung

150 mW

85 V

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case – Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

SOD-523

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.6

Standard packaging taped and reeled

Dimensions - Maße [mm]

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BAS216WT

Power dissipation − Verlustleistung

P_tot

I_FAV

150 mW ¹)

Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)

150 mA ¹)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

t_p≤ 1 s

t_p≤ 1 µs

I_FSM

0.5 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM

85 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Forward voltage ²)

I_F= 1 mA

V_F

< 715 mV

< 855 mV

< 1.0 V

Durchlass-Spannung ²)

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

I_F= 150 mA

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

V_R= 75 V

I_R

< 1 µA

T_j= 150°C V_R= 25 V

T_j= 150°C V_R= 75 V

I_R

< 30 µA

< 50 µA

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

1.5 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

t_rr

< 4 ns

I_F= 10 mA über/through I_R= 10 mA bis/to I_R= 1 mA

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 620 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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