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BAS216,135

更新时间: 2024-01-02 04:10:08
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 78K
描述
0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2

BAS216,135 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-CDSO-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.16
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-CDSO-R2最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAS216,135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS216  
High-speed switching diode  
Product data sheet  
2002 May 28  
Supersedes data of 1999 Apr 22  

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