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BAS21VD

更新时间： 2024-11-24 11:13:07
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安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 661K
描述
High-voltage switching diodesProduction

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BAS21VD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-74, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.01配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：3
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAS21VD 数据手册

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BAS21VD  
High-voltage switching diodes  
1 August 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Triple high-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT457 (SC-74/TSOP6) small  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
High switching speed: trr ≤ 50 ns  
Low capacitance: Cd ≤ 5 pF  
•
•
•
•
•
•
•
Reverse voltage: VR ≤ 200 V  
AEC-Q101 qualified  
Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 250 V  
Repetitive peak forward current: IFRM ≤ 1 A  
Small SMD plastic package  
3. Applications  
High-voltage switching in surface-mounted circuits  
Automotive  
Communication  
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per diode  
IF  
forward current  
reverse voltage  
pulsed; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02  
[1]  
-
-
-
-
200  
200  
mA  
V
VR  
Per diode  
IR  
reverse current  
VR = 200 V; Tamb = 25 °C; pulsed;  
tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02  
-
-
25  
16  
100  
50  
nA  
ns  
trr  
reverse recovery time IF = 30 mA; IR = 30 mA; IR(meas) = 3 mA;  
RL = 100 Ω; Tamb = 25 °C  
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
 
 
 
 
 
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BAS21VD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Surface Mount Switching Diode

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