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BAS21-03W-E6433

更新时间： 2024-01-07 16:54:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
9页	117K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 250V V(RRM),

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BAS21-03W-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BAS21-03W-E6433 数据手册

BAS21...

Silicon Switching Diode

• For high-speed switching applications

• High breakdown voltage

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAS21

BAS21-03W

BAS21U

Type

Package

SOT23

SOD323

SC74

Configuration

single

Marking

JSs

BAS21

BAS21-03W

BAS21U

single

parallel triple

JSs

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

200

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

250

625

Peak forward current

625

Surge forward current, t = 10 µs

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

FSM

tot

BAS21, T ≤ 70°C

350

250

BAS21-03W, T ≤ 124°C

BAS21U, T ≤ 122°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-19

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS2103WE6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode
BAS21-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAS21-13-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21212	NXP	获取价格	0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAS216	TYSEMI	获取价格	Small ceramic SMD package High switching speed:max. 4 ns
BAS216	WINNERJOIN	获取价格	200mW SOD-323 SURFACE MOUNT
BAS216	KEXIN	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING DIODE
BAS216	LGE	获取价格	Switching Diodes
BAS216	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS216,115	NXP	获取价格	0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2