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BAS21/T4

更新时间: 2024-01-19 11:30:45
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

BAS21/T4 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.3
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL

BAS21/T4 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS19; BAS20; BAS21  
General purpose diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 1999 May 26  

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