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BAS2103WE6433HTMA1

更新时间： 2024-01-02 07:00:40

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英飞凌 - INFINEON		/
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Rectifier Diode

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BAS21...

Silicon Switching Diode

• For high-speed switching applications

• High breakdown voltage

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAS21

BAS21-03W

BAS21U

Type

Package

SOT23

SOD323

SC74

Configuration

single

Marking

JSs

BAS21

BAS21-03W

BAS21U

single

parallel triple

JSs

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

200

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

250

625

Peak forward current

625

Surge forward current, t = 10 µs

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

FSM

tot

BAS21, T ≤ 70°C

350

250

BAS21-03W, T ≤ 124°C

BAS21U, T ≤ 122°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-19

12 3 4 5 6 7...9

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BAS2103WE6433HTMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS2103WE6327HTSA1	INFINEON	类似代替	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

与BAS2103WE6433HTMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS21-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAS21-13-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21212	NXP	获取价格	0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAS216	TYSEMI	获取价格	Small ceramic SMD package High switching speed:max. 4 ns
BAS216	WINNERJOIN	获取价格	200mW SOD-323 SURFACE MOUNT
BAS216	KEXIN	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING DIODE
BAS216	LGE	获取价格	Switching Diodes
BAS216	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS216,115	NXP	获取价格	0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2
BAS216,135	NXP	获取价格	0.25A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, CERAMIC PACKAGE-2