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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-236 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 7.22 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2.5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS21,215 | NXP |
完全替代  |
BAS21 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin |
|
| BAS21LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Switching Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS21/A/C/SLT1 | ETC |
获取价格 |
Switching diodes |
|
| BAS21/E8 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
|
| BAS21/E9 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
|
| BAS21/T3 | NXP |
获取价格 |
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| BAS21/T4 | NXP |
获取价格 |
0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| BAS21_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diode |
|
| BAS21_10 | TSC |
获取价格 |
225mW SMD Switching Diode |
|
| BAS21_14 | TSC |
获取价格 |
225mW SMD Switching Diode |
|
| BAS21_15 | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIODES |
|
| BAS21_D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3 |
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