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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.04 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.9 V | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS116LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
Switching Diod |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS116LYL | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN |
|
| BAS116Q-13-F | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAS116Q-7-F | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAS116QA | NEXPERIA |
获取价格 |
Low-leakage diodeProduction |
|
| BAS116QAZ | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN |
|
| BAS116RF | TSC |
获取价格 |
225mW SMD Switching Diode |
|
| BAS116RFG | TSC |
获取价格 |
225mW, SMD Switching Diode |
|
| BAS116T | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAS116T,115 | NXP |
获取价格 |
BAS116T - Single low leakage current switching diode SC-75 3-Pin |
|
| BAS116T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
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