是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.05 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.9 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 4 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.215 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
最大功率耗散: | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向恢复时间: | 3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS116T-7-F | DIODES |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAS116-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS116TT1G | ONSEMI |
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Switching Diode | |
BAS116TW | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES | |
BAS116TW_16 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES | |
BAS116TW_R1_00001 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES | |
BAS116TW_R2_00001 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES | |
BAS116UDJ | DIODES |
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DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE | |
BAS116UDJ-7 | DIODES |
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DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE | |
BAS116V | DIODES |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |