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BAS116V

更新时间： 2024-01-25 12:11:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 338K
描述
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

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BAS116V 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.6配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：0.003 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAS116V 数据手册

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BAS116V  
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE  
Pb  
Lead-free  
Features  
A
·
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic  
Insertion  
·
·
Very Low Leakage Current  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
B
C
SOT-563  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
D
Mechanical Data  
G
·
Case: SOT-563, Molded Plastic  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
M
K
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
0.11  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
H
L
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
A
2
C
NC  
1
·
·
·
Marking & Type Code Information: See Last Page  
Ordering Information: See Last Page  
M
All Dimensions in mm  
Weight: 0.003 grams (approximate)  
C
A
1
NC  
2
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
85  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
60  
V
Forward Continuous Current (Note 2)  
Repetitive Peak Forward Current  
215  
500  
mA  
mA  
IFRM  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
1.0  
0.5  
IFSM  
A
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
Tj , TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 2)  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mW  
Pd  
R
qJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
833  
°C/W  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
IR = 100mA  
85  
¾
¾
V
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.90  
1.0  
VFM  
Forward Voltage  
¾
¾
V
1.1  
1.25  
VR = 75V  
5.0  
80  
nA  
nA  
IRM  
CT  
trr  
Leakage Current (Note 3)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
¾
2
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 0, f = 1.0MHz  
¾
pF  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
¾
3.0  
ms  
Note:  
1. No purposefully added lead.  
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30562 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
BAS116V  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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