5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS121S | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE |
|
| BAS125 | TYSEMI |
获取价格 |
For low-loss, fast-recovery, meter protection,bias isolation and clamping applications |
|
| BAS125 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Diodes |
|
| BAS125 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and |
|
| BAS125-04 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and |
|
| BAS125-04 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Diodes |
|
| BAS125-04 | TYSEMI |
获取价格 |
For low-loss, fast-recovery, meter protection,bias isolation and clamping applications |
|
| BAS125-04E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, Silicon, SMD, 3 PIN |
|
| BAS125-04E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, Silicon, SMD, 3 PIN |
|
| BAS125-04W | TYSEMI |
获取价格 |
For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping application |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
