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BAS125

更新时间： 2024-02-22 01:39:19

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
Silicon Schottky Diodes

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BAS125 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.43
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	25 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS125 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Schottky Diodes

BAS125 series

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

For low-loss, fast-recovery, meter

protection,bias isolation and clamping applications

Integrated diffused guard ring

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

Low forward voltage

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V^R

Conditions

Values

Unit

Forward current

I^F

100

500

250

150

Surge forward current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Junction-ambient

I^FRM

P^tot

10 ms

(Note 3)

Ts < 25

T^j

Tstg

-55 to +150

< 725

Rth JA

R^{th JS}

Note 2

K/W

Junction-soldering point

Note

< 565

1. For detailed information see chapter Package Outlines.

2.Package mounted on alumina 15 mm

3.450 mW per package.

16.7 mm

0.7 mm.

www.kexin.com.cn

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