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BAS116T-13 PDF预览

BAS116T-13

更新时间： 2024-01-07 01:33:17
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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BAS116T-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.66配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：3 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAS116T-13 数据手册

 浏览型号BAS116T-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS116T-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BAS116T BAW156T BAV170T BAV199T  
BAS116T, BAW156T,  
BAV170T, BAV199T  
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE  
Features  
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
SOT-523  
A
Very Low Leakage Current  
Dim Min Max Typ  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 2)  
C
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
C
B
TOP VIEW  
Mechanical Data  
E
B
¾
¾
0.50  
·
·
Case: SOT-523  
G
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
H
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
J
M
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
N
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
L
L
D
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please See Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
M
N
a
·
·
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
0°  
8°  
¾
Marking: See Diagrams Below & Page 3  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Page 3  
BAV199T Marking: 52  
BAW156T Marking: 53  
BAV170T Marking: 51  
BAS116T Marking: 50  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
85  
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
60  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Single Diode  
Double Diode  
215  
125  
IFM  
mA  
mA  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current  
500  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
1.0  
0.5  
IFSM  
A
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at  
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30258 Rev. 7 - 2  
1 of 3  
BAS116T, BAW156T, BAV170T, BAV199T  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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