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BAS116RF

更新时间： 2024-02-13 03:48:57
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
225mW SMD Switching Diode

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BAS116RF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.6配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：0.003 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAS116RF 数据手册

 浏览型号BAS116RF的Datasheet PDF文件第2页 
BAS116  
225mW SMD Switching Diode  
Small Signal Diode  
SOT-23  
F
A
Features  
—Low power loss, high current capability, low VF  
—Surface device type mounting  
B
E
—Moisture sensitivity level 1  
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
C
G
D
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Min Max  
0.059 0.067  
Dimensions  
Min  
1.50  
3.55  
0.45  
2.60  
1.05  
0.08  
Max  
1.70  
Mechanical Data  
—Case : SOT- 23 small outline plastic package  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Weight : 0.008gram (approximately)  
A
B
C
D
E
F
3.85 0.140 0.152  
0.65 0.018 0.026  
2.80  
1.25  
0.15  
0.102 0.11  
0.041 0.049  
0.003 0.006  
0.50 REF  
G
0.02 REF  
Ordering Information  
Part No.  
BAS116 RF  
Packing  
3Kpcs/7" Reel  
Package  
SOT-23  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
VRRM  
Io  
IFSM  
Value  
Units  
Power Dissipation  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Mean Forward Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t= 1.0s  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)  
Junction and Storage Temperature Range  
225  
75  
200  
500  
330  
mW  
V
mA  
mA  
°C/W  
°C  
RθJA  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
Min  
Max  
-
Units  
IR=  
IF=  
IF=  
IF=  
IF=  
VR=  
V(BR)  
75  
-
-
-
-
-
-
-
V
Reverse Breakdown Voltage  
100µA  
1.0mA  
10mA  
50mA  
150mA  
75V  
0.9  
1.0  
1.1  
1.25  
5
Forward Voltage  
VF  
V
IR  
CJ  
Trr  
nA  
pF  
ns  
Reverse Leakage Current  
Junction Capacitance  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
2.0  
3.0  
VR=0, f=1.0MHz  
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: I =10mA, IR=10mA, RL=100Ω,IRR=1mA  
F
Version : B09  
12

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